DMP1046UFDB-7
DIODES(美台)
UDFN2020-6
¥0.56576
10,593
场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 个 P 沟道(双),FET 功能:标准,漏源电压(Vdss):12V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):61 毫欧 @ 3.6A,4.5V
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DMP1046UFDB-7
DIODES(美台)
U-DFN2020-6

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DMP1046UFDB-7
Diodes(美台)
U-DFN2020-6D

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美台(DIODES)
U-DFN2020-6D

30000+:¥0.5962

6000+:¥0.6436

3000+:¥0.6775

800+:¥0.9485

200+:¥1.355

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3000

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Diodes(达尔)
U-DFN2020-6(B 类)

3000+:¥0.5984

1500+:¥0.6424

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60+:¥0.9603

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DIODES(美台)
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规格参数
属性 属性值
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 61 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 17.9nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 915pF @ 6V
功率 - 最大值 1.4W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘