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SI2306BDS-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.16A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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SI2306BDS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.8463 500+:￥0.9385 150+:￥1.2952 50+:￥1.461 5+:￥1.848 |
3085 |
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立创商城
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VISHAY
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100+:￥1.274 1+:￥1.3818 |
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2333
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现货最快4H发
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京北通宇
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SI2306BDS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT23-3
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500+:￥1.51 100+:￥1.72 20+:￥2.13 1+:￥2.41 |
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17+/18+
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在芯间
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.791 1+:￥0.853 |
75 |
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.82264 1+:￥0.88712 |
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1-2工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.16A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 47 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.5 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 305 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |