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ASDM30N150Q-R
ASDsemi(安森德)
DFN5x6-8
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.5mΩ@10V，耗散功率(Pd)：43W
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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ASDM30N150Q-R
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ASDsemi(安森德)
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DFN5x6-8
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4000+:￥0.9087 2500+:￥0.9321 500+:￥0.9711 150+:￥1.1055 50+:￥1.1757 5+:￥1.3395 |
3240 |
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立创商城
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ASDM30N150Q-R
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ASDsemi(安森德)
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DFN8_5X6MM
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5000+:￥1.5232 2000+:￥1.564 500+:￥1.632 300+:￥1.768 100+:￥1.904 1+:￥2.04 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 150A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 43W |