HSU6115
HUASHUO(华朔)
TO-252-2
¥1.1
10,863
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):35A,耗散功率(Pd):52.1W
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HSU6115
HUASHUO(华朔)
TO-252-2

5000+:¥1.1

2500+:¥1.17

500+:¥1.3

150+:¥1.73

50+:¥1.96

5+:¥2.51

2735

-
立即发货
HSU6115
HUASHUO(华朔)
TO-252

500+:¥1.39

100+:¥1.52

20+:¥1.98

1+:¥2.65

3860

23+
HSU6115
HUASHUO(华朔)
TO-252(DPAK)

2500+:¥1.6781

1000+:¥1.6954

500+:¥1.7127

10+:¥2.4352

1+:¥2.4598

2134

-
立即发货
HSU6115
华朔(HUASHUO)
TO-252(DPAK)

100+:¥2.6787

30+:¥3.7502

10+:¥4.0181

1+:¥4.6408

2134

-
HSU6115
HUASHUO/深圳华朔半导体
TO-252-2

1000+:¥1.1688

300+:¥1.2039

100+:¥1.2506

30+:¥1.5078

10+:¥1.8234

1+:¥2.2208

2500

25+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 35A
耗散功率(Pd) 52.1W