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CSD13381F4
TI(德州仪器)
PicoStar-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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封装
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价格(含税)
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TI(德州仪器)
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PicoStar-3
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9000+:￥0.162 6000+:￥0.1721 3000+:￥0.1924 300+:￥0.2245 100+:￥0.2594 10+:￥0.3292 |
4070 |
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TI(德州仪器)
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3-PICOSTAR
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3000+:￥0.18 1+:￥0.203 |
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21+
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圣禾堂
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TI(德州仪器)
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PicoStar-3
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3000+:￥0.1872 1+:￥0.21112 |
1233 |
21+
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1-2工作日发货
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硬之城
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TI(德州仪器)
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3-XFDFN
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200+:￥0.3042 110+:￥0.4719 |
1240 |
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3天-15天
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唯样商城
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德州仪器(TI)
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PicoStar-3
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30000+:￥0.3107 6000+:￥0.3354 3000+:￥0.3531 800+:￥0.4943 100+:￥0.7062 20+:￥1.1493 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | 8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 200 pF @ 6 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:1 |