IRLML9303TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.38
17,464
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
IRLML9303TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

6000+:¥0.38

3000+:¥0.4053

500+:¥0.4557

150+:¥0.5187

50+:¥0.6027

5+:¥0.7707

9820

-
立即发货
IRLML9303TRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-23

1200+:¥0.4286

600+:¥0.4329

50+:¥0.5726

5+:¥0.7322

1000

-
立即发货
IRLML9303TRPBF
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.44

6000+:¥0.475

3000+:¥0.5

800+:¥0.7

200+:¥1.0

10+:¥1.6275

5611

-
IRLML9303TRPBF
INFINEON
SOT23

1+:¥0.931

1026

-
现货最快4H发
IRLML9303TRPBF
Infineon Technologies
SOT-23,SOT-23-3

1000+:¥0.2874

500+:¥0.3106

100+:¥0.3355

50+:¥0.3651

10+:¥0.3941

1+:¥0.4138

2850

2302+
1工作日

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 165 毫欧 @ 2.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 160 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3