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IRLML5203
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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IRLML5203TR
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3000+:￥0.138 1+:￥0.156 |
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IRLML5203TR(UMW)
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9000+:￥0.1446 6000+:￥0.1564 3000+:￥0.1799 300+:￥0.2098 100+:￥0.2491 10+:￥0.3276 |
6780 |
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UMW IRLML5203
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SOT-23
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2000+:￥0.1736 1000+:￥0.1814 500+:￥0.1922 100+:￥0.2155 20+:￥0.2387 5+:￥0.262 |
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1200+:￥0.1952 600+:￥0.1972 100+:￥0.2341 10+:￥0.3079 |
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SOT-23
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3000+:￥0.207 1500+:￥0.234 200+:￥0.27 140+:￥0.3614 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 700 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |