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DMN6040SK3-13
DIODES(美台)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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DMN6040SK3-13
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DIODES(美台)
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TO-252
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500+:￥0.8366 150+:￥1.0071 50+:￥1.1438 5+:￥1.4627 |
2245 |
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立创商城
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DMN6040SK3-13
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DIODES(美台)
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TO252
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2500+:￥0.918 1+:￥0.972 |
4836 |
2年内
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圣禾堂
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Diodes(达尔)
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TO-252-3
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2500+:￥1.0098 1250+:￥1.0692 100+:￥1.232 40+:￥1.606 |
4836 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMN6040SK3-13
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DIODES(美台)
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TO-252
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500+:￥1.31 150+:￥1.56 50+:￥1.75 1+:￥2.21 |
1947 |
23+/24+
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在芯间
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DMN6040SK3-13
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DIODES(美台)
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TO-252
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500+:￥1.31 150+:￥1.56 50+:￥1.75 1+:￥2.21 |
3000 |
24+/23+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 22.4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1287 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 42W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |