咨询/建议
AONR21357
华轩阳
DFN3X3-8L
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
AONR21357
|
HXY MOSFET(华轩阳电子)
|
DFN3X3-8L
|
1000+:￥0.6127 500+:￥0.6709 100+:￥0.7403 30+:￥0.896 10+:￥1.0209 1+:￥1.3121 |
1723 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
AONR21357
|
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
|
DFN3X3-8L
|
5000+:￥0.6368 300+:￥0.6559 100+:￥0.6814 30+:￥0.8215 10+:￥0.9934 1+:￥1.2099 |
2944 |
23+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
|
AONR21357
|
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
|
DFN3X3-8L
|
15000+:￥0.6647 10000+:￥0.682 5000+:￥0.6936 |
720000 |
24+
|
5-7工作日
|
云汉芯城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V |