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DMG2302U-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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价格(含税)
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.15 1+:￥0.17 |
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3000+:￥0.156 1+:￥0.1768 |
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硬之城
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3000+:￥0.2179 300+:￥0.2458 100+:￥0.283 10+:￥0.3574 |
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SOT-23
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3000+:￥0.225 1500+:￥0.255 200+:￥0.2925 130+:￥0.3926 |
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DIODES(美台)
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SOT-23
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500+:￥0.309 100+:￥0.327 10+:￥0.363 1+:￥0.378 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 7 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 594.3 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 800mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |