咨询/建议
TSM2309CX RFG
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
TSM2309CX RFG
|
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
|
SOT-23
|
6000+:￥0.517 3000+:￥0.5509 500+:￥0.6606 150+:￥0.7872 50+:￥0.8888 5+:￥1.1256 |
10345 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
TSM2309CX RFG
|
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
|
SOT-23
|
100+:￥0.693 30+:￥0.798 10+:￥0.883 5+:￥1.08 |
12760 |
20+/21+
|
在芯间
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 425 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.56W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |