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RU1C001UNTCL
ROHM(罗姆)
SOT-323
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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ROHM(罗姆)
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UMT3F
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3000+:￥0.0859 1+:￥0.108 |
482 |
5年内
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圣禾堂
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罗姆(ROHM)
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SOT-323FL
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30000+:￥0.087 6000+:￥0.094 3000+:￥0.0989 1000+:￥0.1385 500+:￥0.1978 100+:￥0.3219 |
27000 |
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油柑网
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ROHM(罗姆)
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SOT-323FL-3
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3000+:￥0.08934 1+:￥0.11232 |
475 |
5年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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ROHM(罗姆)
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SOT-323
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3000+:￥0.0994 600+:￥0.1131 200+:￥0.1358 20+:￥0.1768 |
3420 |
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立创商城
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ROHM(罗姆)
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SOT-323FL-3
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3000+:￥0.1037 1+:￥0.2281 |
400 |
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3天-5天
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7.1 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-85 |