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DMG1029SV-7
DIODES(美台)
SOT-563
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA，360mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.7 欧姆 @ 500mA，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DMG1029SV-7
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DIODES(美台)
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SOT563
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3000+:￥0.259 1+:￥0.293 |
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22+
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圣禾堂
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Diodes(美台)
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SOT-563
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3000+:￥0.26936 1+:￥0.30472 |
132 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMG1029SV-7
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DIODES(美台)
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SOT-563
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500+:￥0.3261 150+:￥0.3693 50+:￥0.4268 5+:￥0.5417 |
960 |
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立创商城
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Diodes(达尔)
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SOT-563
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90+:￥0.5742 |
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3天-15天
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Diodes Incorporated
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SOT-563
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300+:￥0.236 200+:￥0.264 100+:￥0.2829 1+:￥0.3 |
6000 |
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA，360mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.7 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.3nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 450mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |