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MMBFJ202
onsemi(安森美)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：900 µA @ 20 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 10 nA，功率 - 最大值：350 mW
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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MMBFJ202
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.51896 1+:￥0.55536 |
9127 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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MMBFJ202
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.51896 1+:￥0.55536 |
123 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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MMBFJ202
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.5385 1000+:￥0.5485 500+:￥0.5585 100+:￥0.568 10+:￥0.575 |
161769 |
24+
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现货
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硬之城
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MMBFJ202
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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500+:￥0.6868 150+:￥0.8206 50+:￥0.9278 5+:￥1.178 |
1385 |
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立即发货
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立创商城
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MMBFJ202
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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500+:￥1.04 100+:￥1.05 20+:￥1.43 1+:￥1.99 |
3000 |
22+/24+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 40 V |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 900 µA @ 20 V |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 800 mV @ 10 nA |
| 功率 - 最大值 | 350 mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |