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FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：7Ω@5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：210mΩ@1.8V，耗散功率(Pd)：1.1W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：900mA，导通电阻(RDS(on))：400mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：350mW
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：460mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：21mΩ@4.5V,5.9A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@2.5V,1A，阈值电压(Vgs(th))：1.3V@250uA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，耗散功率(Pd)：3.7W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：800mA，导通电阻(RDS(on))：1.4Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V,4.4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：1.4A，导通电阻(RDS(on))：280mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ@10V，耗散功率(Pd)：3W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：160mΩ@10V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：40V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 10A，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4V,5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.1A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@2.5V,1A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.9A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V,4.9A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V,8A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：6.2mΩ@10V；9.5mΩ@4.5V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8.9A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@4.5V,5.6A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@10V；12.5mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@10V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：82V，连续漏极电流(Id)：95A，导通电阻(RDS(on))：6.6mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：3.2mΩ@4.5V,15A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：49mΩ
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：820mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2.7A，导通电阻(RDS(on))：138mΩ@4.5V,2.5A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：760mA（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：280mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：95A，导通电阻(RDS(on))：5.1mΩ@10V,20A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，8V