咨询/建议
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@2.5V,3A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：250mA，导通电阻(RDS(on))：2.8Ω@10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@10V，耗散功率(Pd)：3.7W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8.8A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：170mΩ@10V,0.5A，耗散功率(Pd)：1W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：6.2A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V,5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：9mΩ@10V,45A，耗散功率(Pd)：64W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：65A，导通电阻(RDS(on))：1.9mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.1mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25.4A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V；62mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：8Ω@4V,10mA
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：170mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@10V,0.17A，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：380mA，导通电阻(RDS(on))：3.2Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：180mA，导通电阻(RDS(on))：1.9Ω@10V；2.4Ω@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@1.8V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5A，耗散功率(Pd)：500mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：8 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：12.5mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：33W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：116A，导通电阻(RDS(on))：5.2mΩ@10V，耗散功率(Pd)：113W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：24mΩ@10V,15A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：10.5mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：0.85mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：915mA，导通电阻(RDS(on))：570mΩ@4.5V,600mA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：310mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@2.5V,2A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：185mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：18V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V,6.5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：915mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：55A，导通电阻(RDS(on))：8.4mΩ@4.5V,10A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：88mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：36A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@10V,25A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V