DMP2165UW-7
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.1966
94,079
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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DMP2165UW-7
DIODES(美台)
SOT-323

9000+:¥0.1966

6000+:¥0.2093

3000+:¥0.2348

300+:¥0.2667

100+:¥0.3092

10+:¥0.3942

28270

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DMP2165UW-7
美台(DIODES)
SC-70(SOT-323)

30000+:¥0.1991

6000+:¥0.215

3000+:¥0.2263

800+:¥0.3168

100+:¥0.4526

20+:¥0.7366

42000

-
DMP2165UW-7
DIODES(美台)
SOT323

3000+:¥0.2

1+:¥0.226

7161

23+
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DMP2165UW-7
Diodes(美台)
SOT-323-3

3000+:¥0.208

1+:¥0.23504

7044

23+
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DMP2165UW-7
DIODES(美台)
SOT-323

3000+:¥0.2231

1200+:¥0.2508

600+:¥0.2534

100+:¥0.2937

10+:¥0.3745

2541

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 90 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 335 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323