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1N60G
UMW(友台半导体)
TO-261-4，TO-261AA
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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UMW(友台半导体)
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SOT-223
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2500+:￥0.247 1+:￥0.283 |
2450 |
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圣禾堂
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UMW(广东友台半导体)
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2500+:￥0.25688 1+:￥0.29432 |
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24+
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硬之城
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UMW(友台半导体)
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5000+:￥0.2575 2500+:￥0.2769 500+:￥0.3246 150+:￥0.373 50+:￥0.4375 5+:￥0.5664 |
9355 |
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立创商城
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UMW(友台半导体)
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SOT-223
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500+:￥0.324 150+:￥0.373 50+:￥0.437 5+:￥0.566 |
8430 |
23+/24+
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在芯间
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UMW(友台)
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SOT-223
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1250+:￥0.3679 120+:￥0.4225 |
2450 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150 pF @ 25 V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |