BSS308PE-VB
VBsemi(微碧)
SOT-23(TO-236)
¥0.2254
14,384
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):5.6A,导通电阻(RDS(on)):46mΩ@10V,4.4A
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BSS308PE-VB
VBsemi(微碧半导体)
SOT-23

3000+:¥0.224

1+:¥0.253

5895

25+
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BSS308PE-VB
VBSEMI
SOT-23-3

1+:¥0.2254

1180

2522
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BSS308PE-VB
VBsemi(微碧)
SOT-23

3000+:¥0.22984

1+:¥0.26

5894

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BSS308PE-VB
VBsemi(微碧半导体)
SOT-23(TO-236)

6000+:¥0.2833

3000+:¥0.3014

500+:¥0.3628

150+:¥0.4081

50+:¥0.4685

5+:¥0.5894

1415

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BSS308PE-VB
VBsemi(微碧半导体)
SOT23-3

3000+:¥0.2912

1500+:¥0.3289

200+:¥0.377

90+:¥0.5863

5895

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规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 5.6A
导通电阻(RDS(on)) 46mΩ@10V,4.4A