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IRF530NSTRLPBF
Infineon(英飞凌)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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封装
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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D2PAK
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800+:￥1.578 1+:￥1.71 |
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圣禾堂
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D2PAK
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800+:￥1.58 500+:￥1.68 100+:￥2.32 30+:￥2.72 10+:￥3.04 1+:￥3.77 |
6232 |
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TO-263-2
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800+:￥1.64112 1+:￥1.7784 |
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硬之城
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TO-263AB（D²PAK）
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100+:￥1.854 30+:￥1.962 10+:￥1.998 1+:￥2.178 |
103 |
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-2
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500+:￥1.95 100+:￥2.64 20+:￥2.84 1+:￥3.15 |
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 37 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 920 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |