DMP2305U-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.13936
375,410
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
DMP2305U-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.134

1+:¥0.153

142821

22+
立即发货
DMP2305U-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.13936

1+:¥0.15912

140585

22+
1-2工作日发货
DMP2305U-7
DIODES(美台)
SOT-23

9000+:¥0.1481

6000+:¥0.1577

3000+:¥0.1769

300+:¥0.2083

100+:¥0.2404

10+:¥0.3046

14550

-
立即发货
DMP2305U-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.1522

6000+:¥0.1644

3000+:¥0.173

800+:¥0.2422

100+:¥0.346

20+:¥0.5631

894

-
DMP2305U-7
Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.201

1500+:¥0.2295

200+:¥0.2625

150+:¥0.3536

140591

-
3天-15天

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 4.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 7.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 727 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3