FDV304P
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.16432
502,853
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):25 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):460mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
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ON(安森美)
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安森美(onsemi)
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30000+:¥0.1738

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3000+:¥0.1975

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100+:¥0.395

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 460mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 63 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3