咨询/建议
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：95mΩ@4.5V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：250mA，导通电阻(RDS(on))：2.8Ω@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：38mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.3W
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 欧姆 @ 50mA，5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V,30A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,25A，功率(Pd)：90W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：450mΩ@1.8V,250mA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：9mΩ
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，8V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：6.3A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：19V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@4.5V,20A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3.8A，导通电阻(RDS(on))：98mΩ@10V,4A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：79A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：2 个 N 通道（半桥），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A，40A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 15.6A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：1.7Ω@10V；6Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：310mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.05Ω@4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：59mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.4W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.5A，导通电阻(RDS(on))：38mΩ@10V,4A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V；80mΩ@2.5V；65mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.1A，导通电阻(RDS(on))：105mΩ@4.5V,2A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：12.5mΩ@10V；16mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@4.5V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：61A，耗散功率(Pd)：2.5W
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：17.8 毫欧 @ 8A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：49A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：3.5Ω@10V,220mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@2.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@2.5V,2A，耗散功率(Pd)：1.25W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：8 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2Ω@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：83A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：130A，导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ@10V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：55V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.7A，3.4A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 4.7A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：98A，导通电阻(RDS(on))：3.2mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：73A，导通电阻(RDS(on))：7.5mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.5kV，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：6.5Ω@10V