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DMG1013UW-7
DIODES(美台)
SOT-323
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：820mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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渠道
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DMG1013UW-7
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DIODES(美台)
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SOT-323
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9000+:￥0.0946 3000+:￥0.1062 600+:￥0.1195 200+:￥0.1417 20+:￥0.1818 |
12660 |
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Diodes(美台)
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SOT-323
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3000+:￥0.10192 1+:￥0.12792 |
24054 |
22+
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美台(DIODES)
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SOT-323
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30000+:￥0.1078 6000+:￥0.1164 3000+:￥0.1225 800+:￥0.1715 100+:￥0.245 20+:￥0.3988 |
39000 |
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油柑网
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Diodes(达尔)
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SOT-323
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3000+:￥0.147 1500+:￥0.1845 200+:￥0.297 80+:￥0.6523 |
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3天-15天
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DIODES(美台)
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SOD323
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500+:￥0.356 100+:￥0.3767 10+:￥0.4182 1+:￥0.4355 |
7930 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 820mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 750 毫欧 @ 430mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.622 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 59.76 pF @ 16 V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |