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SSM3J338R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，8V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SSM3J338R,LF
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-23F
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6000+:￥0.7744 3000+:￥0.8174 500+:￥0.8891 150+:￥1.0501 50+:￥1.1792 5+:￥1.4803 |
2430 |
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立创商城
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SSM3J338R,LF
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东芝(TOSHIBA)
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SOT-23F
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30000+:￥0.8016 6000+:￥0.8653 3000+:￥0.9109 800+:￥0.9875 100+:￥1.4108 20+:￥2.2959 |
797 |
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油柑网
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SSM3J338R,LF
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Toshiba(东芝)
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SOT23F
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1200+:￥0.846 600+:￥0.8546 50+:￥1.1331 5+:￥1.4221 |
797 |
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华秋商城
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SSM3J338R,LF(B
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Toshiba(东芝)
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1000+:￥1.1787 500+:￥1.2841 300+:￥1.4087 100+:￥2.0603 60+:￥2.6927 |
1950 |
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3周-4周
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SSM3J338R,LF(B
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Toshiba(东芝)
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1000+:￥1.1787 500+:￥1.2841 300+:￥1.4087 100+:￥2.0603 60+:￥2.6927 |
3000 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17.6 毫欧 @ 6A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 19.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1400 pF @ 6 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |