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HYG060N08NS1D
HUAYI(华羿微)
TO-252-2L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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HYG060N08NS1D
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HUAYI(华羿微)
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TO-252-2L
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2500+:￥1.1 1+:￥1.16 |
374 |
23+
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圣禾堂
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HUAYI(华羿微)
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TO-252-2L
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2500+:￥1.1228 500+:￥1.3085 150+:￥1.5484 50+:￥1.7406 5+:￥2.1893 |
3280 |
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立创商城
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HUAYI(华羿微)
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TO-252-2
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2500+:￥1.144 1+:￥1.2064 |
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23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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HUAYI(华羿微)
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TO-252-2L
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500+:￥1.32 100+:￥1.58 50+:￥1.86 5+:￥2.42 |
4870 |
24+
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在芯间
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HUAYI
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100+:￥1.474 30+:￥1.914 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V |