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SI7288DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：40V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 10A，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SI7288DP-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-SO-8
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30000+:￥2.7973 6000+:￥3.0199 3000+:￥3.1788 800+:￥4.4503 200+:￥6.3576 10+:￥9.8543 |
3000 |
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油柑网
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SI7288DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAKSO-8
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1000+:￥2.8322 500+:￥2.9988 100+:￥3.9004 30+:￥4.54 10+:￥5.1 1+:￥6.22 |
4394 |
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立创商城
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SI7288DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK®SO-8双
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3000+:￥3.0576 1+:￥3.1824 |
17497 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI7288DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SO-8
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1000+:￥3.132 500+:￥3.277 100+:￥3.48 30+:￥3.915 10+:￥4.205 1+:￥4.64 |
300 |
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华秋商城
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SI7288DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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3000+:￥3.234 1500+:￥3.366 750+:￥3.542 100+:￥3.828 20+:￥4.587 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 15nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 565pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 15.6W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |