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SI7469DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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SI7469DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAKSO-8
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1000+:￥5.194 500+:￥5.3802 100+:￥5.8114 30+:￥6.9 10+:￥7.84 1+:￥9.34 |
2305 |
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥5.2 1+:￥5.38 |
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圣禾堂
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PowerPAK-SO-8
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3000+:￥5.408 1+:￥5.5952 |
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PowerPAK-SO-8
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3000+:￥5.57814 |
2700 |
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威世(VISHAY)
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PowerPAK1212-8
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30000+:￥5.5935 6000+:￥6.0385 3000+:￥6.3563 800+:￥8.8988 200+:￥12.7126 10+:￥20.6898 |
3000 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 10.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 160 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4700 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 5.2W（Ta），83.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |