AO3423
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
SOT-23
¥0.266
67,691
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
AO3423
AOS
SOT-23-3L

3000+:¥0.266

1+:¥0.299

13035

24+
立即发货
AO3423
AOS(美国万代)
SOT-23-3

3000+:¥0.27664

1+:¥0.31096

13032

24+
1-2工作日发货
AO3423
AOS
SOT-23-3L

30000+:¥0.2926

6000+:¥0.3159

3000+:¥0.3325

800+:¥0.4655

200+:¥0.665

10+:¥1.0823

13035

-
AO3423
AOS
SOT-23

500+:¥0.3243

150+:¥0.3693

50+:¥0.4293

5+:¥0.5493

2990

-
立即发货
AO3423
AOS(美国万代)
SOT-23-3

3000+:¥0.32525

1000+:¥0.33129

500+:¥0.33733

100+:¥0.34307

10+:¥0.3473

251

22+
现货

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 92 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 620 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-SMD,SOT-23-3 变式