SS8050
IDCHIP(英锐芯)
SOT-23
¥0.0337
1,450
场效应管(MOSFET)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):1.5A,集射极击穿电压(Vceo):25V,耗散功率(Pd):300mW
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SS8050
IDCHIP(英锐芯)
SOT-23

51000+:¥0.0337

24000+:¥0.0362

6000+:¥0.0409

3000+:¥0.0463

500+:¥0.0587

50+:¥0.0749

1000

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SS8050
IDCHIP(英锐芯)
SOT-23

1+:¥0.0441

450

12-10-23
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 1.5A
集射极击穿电压(Vceo) 25V
耗散功率(Pd) 300mW