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BSC067N06LS3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BSC067N06LS3G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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1000+:￥1.62 500+:￥1.72 100+:￥2.05 30+:￥2.37 10+:￥2.7 1+:￥3.35 |
4197 |
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立创商城
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BSC067N06LS3G
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥2.03 1+:￥2.12 |
4667 |
23+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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500+:￥2.08 100+:￥2.46 20+:￥2.95 1+:￥3.78 |
5000 |
24+/23+
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥2.1112 1+:￥2.2048 |
4600 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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QFN-8
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50000+:￥2.244 10000+:￥2.4225 5000+:￥2.55 1000+:￥3.57 300+:￥5.1 10+:￥8.3003 |
20000 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta），50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.7 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 35µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 67 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5100 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |