BSS123
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.03984
119,314
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):200mA,导通电阻(RDS(on)):3Ω@10V
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BSS123
MDD(辰达半导体)
SOT-23

3000+:¥0.03984

18000

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BSS123
MDD(辰达半导体)
SOT-23

51000+:¥0.0461

24000+:¥0.0491

6000+:¥0.0546

3000+:¥0.0609

500+:¥0.0745

50+:¥0.0935

61450

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BSS123
辰达半导体(MDD)
SOT-23

30000+:¥0.0506

6000+:¥0.0546

3000+:¥0.0575

800+:¥0.0805

100+:¥0.115

20+:¥0.1872

21022

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MDD(辰达半导体)
SOT-23

3000+:¥0.0511

1+:¥0.06425

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MDD(辰达行)
SOT-23

3000+:¥0.0776

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9423

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属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 200mA
导通电阻(RDS(on)) 3Ω@10V