咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：540mΩ@10V
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 20mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：1.35mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：160A，导通电阻(RDS(on))：7.3mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：38A，导通电阻(RDS(on))：89mΩ@10V,19A
漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：20.7A，导通电阻(RDS(on))：190mΩ@10V,13.1A，耗散功率(Pd)：208W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：73A，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@10V,37A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：300mW
集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：300mW，直流电流增益(hFE)：400
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：7.5Ω@10V；8Ω@4.5V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：25 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：340mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：300V，耗散功率(Pd)：225mW
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：750mV @ 50mA，500mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，2V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：370mΩ@25V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：2.5A，集射极击穿电压(Vceo)：20V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 2mA，20mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：60V，耗散功率(Pd)：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：260mW，直流电流增益(hFE)：200@5mA,10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：225mW
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1.6A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.1W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.4W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.6A，导通电阻(RDS(on))：51mΩ@10V；82mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.3W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.25W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@2.5V,5A
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：68@5mA,5V
门极触发电压(Vgt)：1.3V，保持电流(Ih)：5mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，门极触发电流(Igt)：5mA
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V；54mΩ@4.5V；49mΩ@6V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：42mΩ@10V,6.5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：900mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：3.9A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V,3.5A，耗散功率(Pd)：1.25W