咨询/建议
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V,15A
通道数：七路，集射击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：500mA，最大输入电压(VI)：30V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
通道数：七路，集射击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：500mA，最大输入电压(VI)：30V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V,70A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：500V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：8.5Ω@10V,1A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：8A，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：20W
FET 类型：P 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：2 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：1 V @ 10 nA，电阻 - RDS(On)：250 Ohms
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：530mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：24mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：130A，导通电阻(RDS(on))：2.2mΩ@10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：225mV @ 100mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：55V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：105 毫欧 @ 3.4A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Ta），35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：14.7A，导通电阻(RDS(on))：400mΩ@10V,3.8A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 400mA，8A，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 4A，1V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：6.8mΩ@10V,70A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：7 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：25 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：350mV @ 150mA，6.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：15A，集射极击穿电压(Vceo)：230V，耗散功率(Pd)：150W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：250V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：18.5mΩ@10V,40A
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：50A，耗散功率(Pd)：349W，正向脉冲电流(Ifm)：100A
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：400mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：2.2 kOhms
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：400mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：50mA，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：130mA，导通电阻(RDS(on))：10Ω@5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：100mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：300V，耗散功率(Pd)：1.5W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：250mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：250mA，导通电阻(RDS(on))：15Ω@1.8V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：98mΩ@10V,3A
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms