MMDT3906DW
CBI(创基)
SOT-363
¥0.05096
31,617
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,集电极电流(Ic):200mA,集射极击穿电压(Vceo):40V,耗散功率(Pd):200mW
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MMDT3906DW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.0499

1+:¥0.0631

8568

2年内
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MMDT3906DW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.05096

1+:¥0.06417

8561

2年内
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MMDT3906DW
创基(CBI)
SOT-363

30000+:¥0.0549

6000+:¥0.0593

3000+:¥0.0624

800+:¥0.0874

100+:¥0.1248

20+:¥0.2032

8568

-
MMDT3906DW
CBI(创基)
SOT-363

21000+:¥0.0636

9000+:¥0.0687

3000+:¥0.0781

600+:¥0.0943

200+:¥0.1123

20+:¥0.1447

5920

-
立即发货
MMDT3906DW
CBI(创基)
SOT-363

3000+:¥0.0881

1500+:¥0.0928

340+:¥0.1485

8568

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
集电极电流(Ic) 200mA
集射极击穿电压(Vceo) 40V
耗散功率(Pd) 200mW