onsemi(安森美)
TO-247
¥62.39
1
TOSHIBA(东芝)
SC-65-3
¥27.42
15
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,50A,功率 - 最大值:230 W
SILAN(士兰微)
-
¥92.56
5
停产
Infineon(英飞凌)
TO-220AB-3
¥2.47
10
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6.8 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):27 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,5A,功率 - 最大值:25 W
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥45.92
0
Infineon(英飞凌)
-
¥115.86
1
Infineon(英飞凌)
-
¥176.58
0
停产
onsemi(安森美)
TO-247-G03
¥57.14
1
IGBT 类型:场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):180 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,60A
onsemi(安森美)
TO-247-3L
¥12.9064
42
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,40A
ST(意法半导体)
TO-247
¥20.2742
20
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,25A
ST(意法半导体)
TO-247-3
¥14.6016
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
停产
Infineon(英飞凌)
D2PAK
¥26.5453
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):31 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,17A,功率 - 最大值:100 W
ST(意法半导体)
TO-247
¥3.1328
34
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,15A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥12.0064
233
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥8.4928
251
集射极击穿电压(Vces):1.2kV,集电极电流(Ic):15A,耗散功率(Pd):156W,正向压降(Vf):1.9V@15A
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
¥5.5762
20
ST(意法半导体)
D2PAK
¥5.09
20
IGBT类型:FS(场截止),集射极击穿电压(Vces):600V,集电极电流(Ic):30A,耗散功率(Pd):115W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
¥4.71
10030
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):12 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,4A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-220-3 整包
¥4.67
11648
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):16 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):32 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
¥4.62
35
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):12 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,4A
ST(意法半导体)
TO-252
¥3.85
2800
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):12 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,6A
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
¥10.96
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,11.5A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥15.4978
11
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,40A,功率 - 最大值:230 W
YANGJIE(扬杰)
螺栓安装
¥207.249
3
ST(意法半导体)
D2PAK
¥5.0582
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A,功率 - 最大值:80 W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
¥265.882
3000
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):48 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):72 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,24A
ST(意法半导体)
D2PAK-3
¥6.88562
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,20A
ST(意法半导体)
TO-247-4
¥37.3992
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):145 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,100A
停产
ST(意法半导体)
TO-247
¥28.49
60
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
停产
ST(意法半导体)
TO-247-3
¥13.91
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A
ST(意法半导体)
N2DIP-26
¥70.28
0
电机类型 - AC,DC:AC,同步,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(3),技术:IGBT,应用:家电
停产
onsemi(安森美)
TO-263AB
¥29.83
0
电压 - 集射极击穿(最大值):480 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):51 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A,功率 - 最大值:300 W,输入类型:逻辑
不适用于新设计
onsemi(安森美)
TO-247-3
¥73.42
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):48 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥9.0486
4
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,20A,功率 - 最大值:150 W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥664.706
2920
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):55 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):220 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,27A,功率 - 最大值:200 W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3
¥1063.53
2149
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):57 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):114 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,33A,功率 - 最大值:200 W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3
¥199.412
4620
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.55V @ 15V,35A
Littelfuse(美国力特)
TO-247
¥108.77
0
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):64 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):105 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):4V @ 15V,40A,功率 - 最大值:480 W
停产
onsemi(安森美)
TO-3PF
¥9.97
4
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):92 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,12A,功率 - 最大值:75 W
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥19.88
20
集射极击穿电压(Vces):1.1kV,集电极电流(Ic):60A,耗散功率(Pd):333W,正向压降(Vf):1.35V@30A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥41.58
5
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):140 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3
¥25.24
2
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):140 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,75A,功率 - 最大值:483 W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥7.3224
0
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,20A
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
¥7.18
0
Infineon(英飞凌)
-
¥82.75
1
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
¥4.2268
103
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):12 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,6A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3
¥664.706
6476
电压 - 集射极击穿(最大值):900 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):51 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):204 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,28A,功率 - 最大值:200 W
ST(意法半导体)
TO-220
¥8.56
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
停产
ST(意法半导体)
TO-247AD
¥22.3
90
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A
ST(意法半导体)
TO-247
¥11.24
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A