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商品目录
三极管/MOS管/晶体管
IGBT管/模块
NGTB50N60FWG
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥62.39
库存量:
1
热度:
供应商报价
2
描述:
GT50JR22(STA1,E,S)
厂牌:
TOSHIBA(东芝)
封装:
SC-65-3
手册:
市场价:
¥27.42
库存量:
15
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,50A,功率 - 最大值:230 W
SGM75HF12A1TFDT4
厂牌:
SILAN(士兰微)
封装:
-
手册:
市场价:
¥92.56
库存量:
5
热度:
供应商报价
2
描述:
停产
IRG4IBC10UDPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220AB-3
手册:
市场价:
¥2.47
库存量:
10
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6.8 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):27 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,5A,功率 - 最大值:25 W
IKQ100N60T
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥45.92
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
FS50R06W1E3_B11
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
手册:
市场价:
¥115.86
库存量:
1
热度:
供应商报价
3
描述:
F3L50R06W1E3_B11
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
手册:
市场价:
¥176.58
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
停产
FGH60N60SMD-F085
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-G03
手册:
市场价:
¥57.14
库存量:
1
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):180 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,60A
FGHL40T65MQD
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3L
手册:
市场价:
¥12.9064
库存量:
42
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,40A
STGWA25M120DF3
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥20.2742
库存量:
20
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,25A
STGWA75M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥14.6016
库存量:
0
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
停产
IRG4BC30FDSTRRP
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
D2PAK
手册:
市场价:
¥26.5453
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):31 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,17A,功率 - 最大值:100 W
STGWA15M120DF3
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥3.1328
库存量:
34
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,15A
IGW40N65H5
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥12.0064
库存量:
233
热度:
供应商报价
3
描述:
IHW15N120E1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥8.4928
库存量:
251
热度:
供应商报价
2
描述:
集射极击穿电压(Vces):1.2kV,集电极电流(Ic):15A,耗散功率(Pd):156W,正向压降(Vf):1.9V@15A
IKD06N60RA
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-252-3
手册:
市场价:
¥5.5762
库存量:
20
热度:
供应商报价
2
描述:
STGB15H60DF
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
D2PAK
手册:
市场价:
¥5.09
库存量:
20
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT类型:FS(场截止),集射极击穿电压(Vces):600V,集电极电流(Ic):30A,耗散功率(Pd):115W
停产
IKD04N60RF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-252-3
手册:
市场价:
¥4.71
库存量:
10030
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):12 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,4A
停产
IRGIB10B60KD1P
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220-3 整包
手册:
市场价:
¥4.67
库存量:
11648
热度:
供应商报价
8
描述:
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):16 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):32 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A
IKD04N60RC2ATMA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-252-3
手册:
市场价:
¥4.62
库存量:
35
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):12 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,4A
STGD6M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-252
手册:
市场价:
¥3.85
库存量:
2800
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):12 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,6A
不适用于新设计
IGD15N65T6ARMA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-252-3
手册:
市场价:
¥10.96
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):57.5 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,11.5A
IHW40N65R5XKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥15.4978
库存量:
11
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,40A,功率 - 最大值:230 W
MG150HF12MIC2
厂牌:
YANGJIE(扬杰)
封装:
螺栓安装
手册:
市场价:
¥207.249
库存量:
3
热度:
供应商报价
1
描述:
STGB14NC60KDT4
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
D2PAK
手册:
市场价:
¥5.0582
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A,功率 - 最大值:80 W
停产
IRGB4062DPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220AB
手册:
市场价:
¥265.882
库存量:
3000
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):48 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):72 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,24A
STGB20H65DFB2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
D2PAK-3
手册:
市场价:
¥6.88562
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,20A
STGW100H65FB2-4
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-4
手册:
市场价:
¥37.3992
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):145 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,100A
停产
STGW40V60DLF
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥28.49
库存量:
60
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
停产
STGW60H60DLFB
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥13.91
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A
STGIPQ8C60T-HZ
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
N2DIP-26
手册:
市场价:
¥70.28
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
电机类型 - AC,DC:AC,同步,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级,输出配置:半桥(3),技术:IGBT,应用:家电
停产
ISL9V5045S3ST
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-263AB
手册:
市场价:
¥29.83
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):480 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):51 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A,功率 - 最大值:300 W,输入类型:逻辑
不适用于新设计
AFGHL40T120RLD
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥73.42
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):48 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
IHW20N65R5XKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥9.0486
库存量:
4
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,20A,功率 - 最大值:150 W
停产
IRG4PC50UDPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥664.706
库存量:
2920
热度:
供应商报价
5
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):55 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):220 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,27A,功率 - 最大值:200 W
停产
IRG4PH50SPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247AC-3
手册:
市场价:
¥1063.53
库存量:
2149
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):57 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):114 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,33A,功率 - 最大值:200 W
停产
IRGP35B60PDPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247AC-3
手册:
市场价:
¥199.412
库存量:
4620
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.55V @ 15V,35A
IXYH40N120C3D1
厂牌:
Littelfuse(美国力特)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥108.77
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):64 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):105 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):4V @ 15V,40A,功率 - 最大值:480 W
停产
SGF23N60UFTU
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-3PF
手册:
市场价:
¥9.97
库存量:
4
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):92 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,12A,功率 - 最大值:75 W
IHW30N110R3
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥19.88
库存量:
20
热度:
供应商报价
2
描述:
集射极击穿电压(Vces):1.1kV,集电极电流(Ic):60A,耗散功率(Pd):333W,正向压降(Vf):1.35V@30A
IGW75N60H3FKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥41.58
库存量:
5
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):140 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,75A
停产
IRGP6690DPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247AC-3
手册:
市场价:
¥25.24
库存量:
2
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):140 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,75A,功率 - 最大值:483 W
停产
IRG7PH35UD-EP
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥7.3224
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,20A
IGP20N65H5
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220-3
手册:
市场价:
¥7.18
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
FS20R06W1E3_B11
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
手册:
市场价:
¥82.75
库存量:
1
热度:
供应商报价
3
描述:
IKD06N60RFATMA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-252-3
手册:
市场价:
¥4.2268
库存量:
103
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):12 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,6A
停产
IRG4PF50WPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247AC-3
手册:
市场价:
¥664.706
库存量:
6476
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):900 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):51 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):204 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,28A,功率 - 最大值:200 W
STGP30M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥8.56
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
停产
STGW60H65DFB
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247AD
手册:
市场价:
¥22.3
库存量:
90
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A
STGW30H65FB
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥11.24
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
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