咨询/建议
STGD6M65DF2
ST(意法半导体)
TO-252
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：12 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：24 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，6A
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
STGD6M65DF2
|
ST(意法半导体)
|
TO-252
|
500+:￥3.85 100+:￥4.19 30+:￥4.93 10+:￥5.6 1+:￥6.8 |
943 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
STGD6M65DF2
|
意法半导体(ST)
|
TO-252-3
|
1000+:￥7.9286 100+:￥9.5143 10+:￥11.1 1+:￥14.5688 |
1830 |
-
|
油柑网
|
|
|
STGD6M65DF2
|
ST(意法半导体)
|
TO-252
|
100+:￥3.615 30+:￥3.615 10+:￥3.615 1+:￥3.615 |
0 |
20+/21+
|
在芯间
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 12 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 24 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，6A |
| 功率 - 最大值 | 88 W |
| 开关能量 | 36µJ（开），200µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 21.2 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 15ns/90ns |
| 测试条件 | 400V，6A，22 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 140 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |