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IGD15N65T6ARMA1
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：57.5 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，11.5A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IGD15N65T6ARMA1
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252-3
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30+:￥10.96 10+:￥13.152 1+:￥19.728 |
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油柑网
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IGD15N65T6ARMA1
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
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1000+:￥18.5004 100+:￥18.843 50+:￥19.1856 1+:￥20.556 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 30 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 57.5 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 1.9V @ 15V，11.5A |
| 功率 - 最大值 | 100 W |
| 开关能量 | 230µJ（开），110µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 37 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 30ns/117ns |
| 测试条件 | 400V，11.5A，47 欧姆，15V |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |