STGW30H65FB
ST(意法半导体)
TO-247
¥11.24
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IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
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STGW30H65FB
意法半导体(ST)
TO-247

1000+:¥11.24

500+:¥12.926

100+:¥14.05

30+:¥15.736

10+:¥19.108

1+:¥22.48

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STGW30H65FB
ST(意法半导体)
TO-247

100+:¥12.377

30+:¥12.377

10+:¥12.377

1+:¥12.377

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20+/21+
STGW30H65FB
ST(意法半导体)
TO-247

30+:¥14.1857

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 120 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,30A
功率 - 最大值 260 W
开关能量 151µJ(开),293µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 149 nC
25°C 时 Td(开/关)值 37ns/146ns
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3