停产
onsemi(安森美)
TO-220F
¥5.3084
40
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):92 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,12A,功率 - 最大值:73 W
ROHM(罗姆)
SC-93-3
¥14.1628
450
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,30A
Littelfuse(美国力特)
TO-247AD
¥53.5082
300
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3V @ 15V,20A,功率 - 最大值:220 W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥9.07
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):65 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):72 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,24A,功率 - 最大值:250 W
ROHM(罗姆)
TO-263-2
¥5.5882
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):48 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A
ST(意法半导体)
DPAK
¥3.767
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A
ST(意法半导体)
TO-3P-3
¥25.1003
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A
ST(意法半导体)
TO-220F-3
¥4.05691
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):28 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,7A
ST(意法半导体)
D2PAK
¥7.34448
0
电压 - 集射极击穿(最大值):440 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 4.5V,10A,功率 - 最大值:125 W
Infineon(英飞凌)
-
¥211.59
0
Infineon(英飞凌)
插件,62.8x56.7mm
¥224
63
集射极击穿电压(Vces):1.2kV,集电极电流(Ic):35A,耗散功率(Pd):215W,正向压降(Vf):1.75V@35A
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252-2(DPAK)
¥3.49
3574
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,5A,功率 - 最大值:54.4 W
停产
ST(意法半导体)
TO-3PF
¥10.73
270
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,20A
ST(意法半导体)
TO-220
¥9.5143
8928
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,20A
ST(意法半导体)
TO-247-3
¥7.09
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,20A
ST(意法半导体)
TO-247-3
¥3.22
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A
停产
ST(意法半导体)
TO-220F-3
¥25.45
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,30A
onsemi(安森美)
TO-263AB
¥16.66
0
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,10A
停产
onsemi(安森美)
TO-3PF-3
¥36.97
0
电压 - 集射极击穿(最大值):1500 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):5.5V @ 10V,5A,功率 - 最大值:62.5 W
onsemi(安森美)
TO-247-3
¥10.153
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A
Infineon(英飞凌)
SOT-223-3
¥2.5733
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7.5 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):12 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,4A,功率 - 最大值:6.8 W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
¥13.6387
0
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):41 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):82 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.1V @ 15V,21A,功率 - 最大值:160 W
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
¥3.9098
70
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):11 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):25 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,5A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
¥19.2345
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):92 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,12A,功率 - 最大值:100 W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3
¥87.2
2700
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,20A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥26.5882
1176
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):144 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,48A,功率 - 最大值:330 W
Littelfuse(美国力特)
TO-247-3
¥99.189
0
IGBT 类型:PT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,100A
Littelfuse(美国力特)
E2
¥432.28
0
IGBT 类型:PT,配置:三相反相器,带制动器,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,功率 - 最大值:195 W
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥42.72
13
IGBT类型:FS(场截止),集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):74A,耗散功率(Pd):255W
ST(意法半导体)
TO-220FP
¥5.61
20
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247AD
¥26.29
0
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):144 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,48A
onsemi(安森美)
TO-247-3
¥37.29
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):480 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A
Infineon(英飞凌)
TO-247-4
¥38.3
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,50A
Infineon(英飞凌)
TO-263
¥8.43
0
Infineon(英飞凌)
-
¥90.15
1
Infineon(英飞凌)
-
¥101.427
0
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥664.706
4650
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.85V @ 15V,50A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥132.941
3179
电压 - 集射极击穿(最大值):900 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):51 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):204 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,28A,功率 - 最大值:200 W
Infineon(英飞凌)
TO-263-3
¥15.2496
5
ROHM(罗姆)
TO-3PFM
¥29.1785
30
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):39 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,40A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥19.11
266
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):74 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A,功率 - 最大值:255 W
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥107.23
4
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,75A
ST(意法半导体)
TO-252-2(DPAK)
¥3.96
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A,功率 - 最大值:70 W
YANGJIE(扬杰)
螺栓安装
¥120.883
7
ST(意法半导体)
TO-220F-3
¥5.91
2723
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,20A
onsemi(安森美)
TO-247AC-3
¥15.255
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,60A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥8.98
0
ST(意法半导体)
TO-220F-3
¥4.62538
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):11 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A,功率 - 最大值:28 W
ST(意法半导体)
TO-252-2
¥2.5234
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7.5 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.95V @ 15V,1.5A,功率 - 最大值:38 W
ST(意法半导体)
TO-247-3
¥18.4918
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A