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商品目录
三极管/MOS管/晶体管
IGBT管/模块
停产
SGS23N60UFDTU
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-220F
手册:
市场价:
¥5.3084
库存量:
40
热度:
供应商报价
4
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):92 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,12A,功率 - 最大值:73 W
RGCL60TK60DGC11
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
SC-93-3
手册:
市场价:
¥14.1628
库存量:
450
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,30A
IXGH30N60C3D1
厂牌:
Littelfuse(美国力特)
封装:
TO-247AD
手册:
市场价:
¥53.5082
库存量:
300
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3V @ 15V,20A,功率 - 最大值:220 W
停产
IRGP4640D-EPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥9.07
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):65 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):72 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,24A,功率 - 最大值:250 W
RGT50NS65DGTL
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
TO-263-2
手册:
市场价:
¥5.5882
库存量:
0
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):48 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A
STGD5H60DF
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
DPAK
手册:
市场价:
¥3.767
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A
STGWT80H65DFB
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-3P-3
手册:
市场价:
¥25.1003
库存量:
0
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A
STGF7H60DF
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220F-3
手册:
市场价:
¥4.05691
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):28 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,7A
STGB10NB37LZT4
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
D2PAK
手册:
市场价:
¥7.34448
库存量:
0
热度:
供应商报价
4
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):440 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 4.5V,10A,功率 - 最大值:125 W
FP50R06W2E3
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
手册:
市场价:
¥211.59
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
FP35R12W2T4
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
插件,62.8x56.7mm
手册:
市场价:
¥224
库存量:
63
热度:
供应商报价
3
描述:
集射极击穿电压(Vces):1.2kV,集电极电流(Ic):35A,耗散功率(Pd):215W,正向压降(Vf):1.75V@35A
AOD5B60D
厂牌:
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
封装:
TO-252-2(DPAK)
手册:
市场价:
¥3.49
库存量:
3574
热度:
供应商报价
6
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,5A,功率 - 最大值:54.4 W
停产
STGFW20V60DF
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-3PF
手册:
市场价:
¥10.73
库存量:
270
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,20A
STGP20M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥9.5143
库存量:
8928
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,20A
STGWA20M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥7.09
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,20A
STGW10M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥3.22
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A
停产
STGF30H60DF
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220F-3
手册:
市场价:
¥25.45
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,30A
HGT1S10N120BNST
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-263AB
手册:
市场价:
¥16.66
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,10A
停产
SGF5N150UFTU
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-3PF-3
手册:
市场价:
¥36.97
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):1500 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):5.5V @ 10V,5A,功率 - 最大值:62.5 W
NGTB50N65FL2WG
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥10.153
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A
IKN04N60RC2ATMA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-223-3
手册:
市场价:
¥2.5733
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7.5 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):12 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,4A,功率 - 最大值:6.8 W
停产
IRG4PH40UPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247AC
手册:
市场价:
¥13.6387
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):41 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):82 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.1V @ 15V,21A,功率 - 最大值:160 W
不适用于新设计
IKA08N65ET6XKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220-3
手册:
市场价:
¥3.9098
库存量:
70
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):11 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):25 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,5A
停产
IRG4BC30WPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220AB
手册:
市场价:
¥19.2345
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):92 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,12A,功率 - 最大值:100 W
停产
IRGP20B60PDPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247AC-3
手册:
市场价:
¥87.2
库存量:
2700
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,20A
停产
IRGP4660D-EPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥26.5882
库存量:
1176
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):144 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,48A,功率 - 最大值:330 W
IXGX320N60B3
厂牌:
Littelfuse(美国力特)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥99.189
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:PT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):1200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,100A
MIXA40WB1200TED
厂牌:
Littelfuse(美国力特)
封装:
E2
手册:
市场价:
¥432.28
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:PT,配置:三相反相器,带制动器,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,功率 - 最大值:195 W
IKW40N65F5F
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥42.72
库存量:
13
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT类型:FS(场截止),集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):74A,耗散功率(Pd):255W
STGF5H60DF
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220FP
手册:
市场价:
¥5.61
库存量:
20
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A
停产
AUIRGP4063D-E
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247AD
手册:
市场价:
¥26.29
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):144 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,48A
FGY160T65SPD-F085
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥37.29
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):240 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):480 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,160A
IKZA50N65SS5XKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-4
手册:
市场价:
¥38.3
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,50A
IKB03N120H2
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-263
手册:
市场价:
¥8.43
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
FP10R06W1E3
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
手册:
市场价:
¥90.15
库存量:
1
热度:
供应商报价
3
描述:
FS25R12W1T4
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
手册:
市场价:
¥101.427
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
停产
IRGP50B60PD1PBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥664.706
库存量:
4650
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.85V @ 15V,50A
停产
IRG4PF50WDPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥132.941
库存量:
3179
热度:
供应商报价
1
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):900 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):51 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):204 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,28A,功率 - 最大值:200 W
IKB20N65EH5
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-263-3
手册:
市场价:
¥15.2496
库存量:
5
热度:
供应商报价
2
描述:
RGTV80TK65DGVC11
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
TO-3PFM
手册:
市场价:
¥29.1785
库存量:
30
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):39 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,40A
IKW40N65F5FKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥19.11
库存量:
266
热度:
供应商报价
5
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):74 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A,功率 - 最大值:255 W
IKW75N65SS5XKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥107.23
库存量:
4
热度:
供应商报价
5
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,75A
STGD7NC60HT4
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-252-2(DPAK)
手册:
市场价:
¥3.96
库存量:
0
热度:
供应商报价
4
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A,功率 - 最大值:70 W
MG75HF12MRC1
厂牌:
YANGJIE(扬杰)
封装:
螺栓安装
手册:
市场价:
¥120.883
库存量:
7
热度:
供应商报价
1
描述:
STGF20M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220F-3
手册:
市场价:
¥5.91
库存量:
2723
热度:
供应商报价
6
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,20A
FGH60T65SQD-F155
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247AC-3
手册:
市场价:
¥15.255
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,60A
IKW15N120BH6
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥8.98
库存量:
0
热度:
供应商报价
4
描述:
STGF14NC60KD
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220F-3
手册:
市场价:
¥4.62538
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):11 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A,功率 - 最大值:28 W
STGD3HF60HDT4
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-252-2
手册:
市场价:
¥2.5234
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7.5 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.95V @ 15V,1.5A,功率 - 最大值:38 W
STGWA40H65FB
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥18.4918
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
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