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IGBT 类型：场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：180 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，60A
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：80A，耗散功率(Pd)：333W，正向压降(Vf)：2.4V@20A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，40A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：75 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，12A，功率 - 最大值：125 W
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：75 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，12A，功率 - 最大值：125 W
集射极击穿电压(Vces)：650V，集电极电流(Ic)：74A，耗散功率(Pd)：250W，正向压降(Vf)：1.45V@20A
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：40A，耗散功率(Pd)：278W
停产
IGBT 类型：NPT 和沟道，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：90 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.65V @ 15V，50A
IGBT类型：FS(场截止)，集射极击穿电压(Vces)：600V，集电极电流(Ic)：20A，耗散功率(Pd)：83W
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：25A，耗散功率(Pd)：278W
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：30 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，5A，功率 - 最大值：65 W
集射极击穿电压(Vces)：600V，集电极电流(Ic)：60A，耗散功率(Pd)：35.5W，正向压降(Vf)：1.7V@30A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：220 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，30A，功率 - 最大值：250 W
集射极击穿电压(Vces)：650V，集电极电流(Ic)：40A，耗散功率(Pd)：250W，集射极饱和电压(VCE(sat))：1.65V
电压 - 集射极击穿（最大值）：430 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：21 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 4V，6A，功率 - 最大值：150 W，输入类型：逻辑
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1800 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：5V @ 15V，40A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A
不适用于新设计
IGBT 类型：沟道，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，40A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A
电压 - 集射极击穿（最大值）：430 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：21 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 4V，6A，功率 - 最大值：150 W，输入类型：逻辑
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：160 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，40A
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：40A，耗散功率(Pd)：333W
集射极击穿电压(Vces)：650V，集电极电流(Ic)：75A，耗散功率(Pd)：468W，集射极饱和电压(VCE(sat))：1.65V
IGBT类型：FS(场截止)，集射极击穿电压(Vces)：600V，集电极电流(Ic)：80A，耗散功率(Pd)：280W
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
集射极击穿电压(Vces)：600V，集电极电流(Ic)：6A，耗散功率(Pd)：100W，正向压降(Vf)：2.1V@6A