STGWA75M65DF2
ST(意法半导体)
TO-247-3
¥14.6016
0
IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
STGWA75M65DF2
ST(意法半导体)
TO-247-3

1000+:¥14.6016

100+:¥14.872

50+:¥15.1424

1+:¥16.224

0

-
立即发货
STGWA75M65DF2
意法半导体(ST)
TO-247-3

1000+:¥24.64

500+:¥28.336

100+:¥30.8

30+:¥34.496

10+:¥41.888

1+:¥49.28

0

-
STGWA75M65DF2
ST(意法半导体)
TO-247

100+:¥36.08

30+:¥39.27

10+:¥43.08

1+:¥49.32

0

20+/21+
STGWA75M65DF2
ST(意法半导体)
TO-247 长引线

600+:¥75.21

1+:¥77.09

0

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 225 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值 468 W
开关能量 690µJ(开),2.54mJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 225 nC
25°C 时 Td(开/关)值 47ns/125ns
测试条件 400V,75A,3.3 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 165 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3