咨询/建议
IGBT 类型：场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，40A
集射极击穿电压(Vces)：600V，集电极电流(Ic)：40A，耗散功率(Pd)：280W，集射极饱和电压(VCE(sat))：1.9V
最后售卖
IGBT 类型：NPT，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：64 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V，40A
电压 - 集射极击穿（最大值）：3000 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：100 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V，12A，功率 - 最大值：160 W
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，30A
IGBT 类型：场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：180 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，60A
IGBT 类型：NPT，电压 - 集射极击穿（最大值）：1700 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：32 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.5V @ 15V，16A
电压 - 集射极击穿（最大值）：2500 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：13 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：3.5V @ 15V，2A，功率 - 最大值：32 W
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：15 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，5A，功率 - 最大值：52 W
集射极击穿电压(Vces)：650V，集电极电流(Ic)：30A，耗散功率(Pd)：182W，正向压降(Vf)：1.85V@15A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：25 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：50 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，7A，功率 - 最大值：80 W
集射极击穿电压(Vces)：1.35kV，集电极电流(Ic)：40A，耗散功率(Pd)：333W，正向压降(Vf)：1.5V@20A
电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：21 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.65V @ 4V，6A，功率 - 最大值：150 W，输入类型：逻辑
停产
IGBT 类型：场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，20A
停产
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：240 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A
停产
IGBT 类型：沟道，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：140 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：225 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
IGBT 类型：PT，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：160 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，60A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：15 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.98V @ 15V，5A，功率 - 最大值：69 W
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：16 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
集射极击穿电压(Vces)：650V，集电极电流(Ic)：40A，耗散功率(Pd)：250W，集射极饱和电压(VCE(sat))：1.65V
IGBT 类型：沟道，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.75V @ 15V，50A，功率 - 最大值：250 W
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，20A
IGBT 类型：场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，40A
IGBT 类型：场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，40A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：240 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，60A