Infineon(英飞凌)
-
¥201.24
1
配置:半桥,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45 A,功率 - 最大值:215 W,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.25V @ 15V,25A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥29.9775
58
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):76 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):105 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,35A,功率 - 最大值:268 W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-220
¥265.882
3043
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):19 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):38 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,15A
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
¥7.0266
81
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):28 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):45 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,15A
Littelfuse(美国力特)
TO-247AD
¥114.07
0
电压 - 集射极击穿(最大值):1700 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.3V @ 15V,16A,功率 - 最大值:250 W
停产
Littelfuse(美国力特)
¥3.05
0
电压 - 集射极击穿(最大值):440 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 4.5V,20A,功率 - 最大值:125 W
SILAN(士兰微)
-
¥201.25
2
SILAN(士兰微)
-
¥137.05
3
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
¥18.62
1
onsemi(安森美)
TO-252AA
¥4.8428
20000
集射极击穿电压(Vces):430V,集电极电流(Ic):10A,耗散功率(Pd):130W,栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@4V,6A
停产
Infineon(英飞凌)
SUPER-247(TO-274AA)
¥105.85
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):85 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,60A,功率 - 最大值:350 W
Infineon(英飞凌)
TO-247-4
¥19.62
3
Infineon(英飞凌)
-
¥115.36
1
停产
Infineon(英飞凌)
TO-220AB-3
¥10.6036
177
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):32 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):36 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,12A,功率 - 最大值:140 W
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
TO-247N
¥16.0393
450
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):58 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
ST(意法半导体)
TO-247
¥24.1
10
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3
¥26.4346
10
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):65 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):72 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,24A,功率 - 最大值:250 W
onsemi(安森美)
TO-247-3L
¥18.08
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A
Infineon(英飞凌)
插件,122x62mm
¥422.05
9
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-220
¥0.582
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,15A,功率 - 最大值:167 W
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥10.2557
56
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):31 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,17A,功率 - 最大值:100 W
SILAN(士兰微)
-
¥91.8
0
YANGJIE(扬杰)
螺栓安装
¥138.761
1
YANGJIE(扬杰)
螺栓安装
¥190.946
4
onsemi(安森美)
TO-252(DPAK)
¥6.102
0
集射极击穿电压(Vces):390V,集电极电流(Ic):20A,耗散功率(Pd):125W,栅极阈值电压(Vge(th)):1.9V@4.5V,20A
ST(意法半导体)
TO-220FP
¥4.60053
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-220
¥2.66
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,5A,功率 - 最大值:82.4 W
ST(意法半导体)
TO-252-2(DPAK)
¥3.55575
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,3A,功率 - 最大值:62 W
Infineon(英飞凌)
-
¥161.01
0
Infineon(英飞凌)
-
¥661.06
0
Infineon(英飞凌)
TO-247-3-AI
¥56.5257
20
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥15.19
102
SILAN(士兰微)
-
¥105.85
0
Infineon(英飞凌)
-
¥402.5
0
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥11.4404
233
YANGJIE(扬杰)
-
¥502.63
0
CRMICRO(华润微)
-
¥69.31
0
Infineon(英飞凌)
-
¥336.4
0
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥30.743
19
NCE(无锡新洁能)
TO-247P
¥27.93
0