STGWA15M120DF3
ST(意法半导体)
TO-247
¥3.1328
34
IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,15A
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STGWA15M120DF3
ST(意法半导体)
TO-247

1200+:¥3.1328

600+:¥3.216

100+:¥3.4016

30+:¥3.8048

10+:¥6.8276

1+:¥10.962

17

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STGWA15M120DF3
ST(意法半导体)
TO-247

30+:¥5.707

10+:¥8.928

1+:¥13.398

17

20+/21+
STGWA15M120DF3
ST(意法半导体)
TO-247 长引线

600+:¥18.76

1+:¥19.32

0

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STGWA15M120DF3
意法半导体(ST)
TO-247-3

1000+:¥47.5714

100+:¥57.0857

10+:¥66.6

1+:¥87.4124

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 60 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,15A
功率 - 最大值 259 W
开关能量 550µJ(开),850µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 53 nC
25°C 时 Td(开/关)值 26ns/122ns
测试条件 600V,15A,22 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 270 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3