Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥15.5
25
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,50A,功率 - 最大值:251 W
ROHM(罗姆)
TO-247GE
¥20.1327
600
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):58 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥17.91
14
ST(意法半导体)
TO-247
¥18.03
18
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A,功率 - 最大值:200 W
ST(意法半导体)
TO-3P
¥18.2426
2
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
onsemi(安森美)
TO-247-3L
¥19.152
53
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥18.424
60
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,50A,功率 - 最大值:282 W
停产
ST(意法半导体)
TO-3PF
¥18.75
140
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥18.8133
4
ST(意法半导体)
TO-247
¥18.98
2
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
RENESAS(瑞萨)
TO-247A
¥18.67
108
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):90 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,50A,功率 - 最大值:328.9 W
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥19.58
6
ROHM(罗姆)
TO-247N
¥20.43
20
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):73 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
ST(意法半导体)
TO-247
¥19.694
2
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,15A
ST(意法半导体)
TO-3P
¥19.78
4157
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A
Littelfuse(美国力特)
TO-263AA
¥19.98
0
IGBT 类型:PT,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.5V @ 15V,30A
Littelfuse(美国力特)
TO-220-3
¥20.83
1
IGBT 类型:PT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A,功率 - 最大值:220 W
ROHM(罗姆)
TO-247-3
¥22.72
3675
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
onsemi(安森美)
TO-247-3L
¥21.04
393
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,40A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥21.4
122
onsemi(安森美)
TO-247-3
¥21.2
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,75A
onsemi(安森美)
TO-247-3L
¥19.434
35
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
NCE(无锡新洁能)
TO-247P
¥18.1
0
Infineon(英飞凌)
TO-252
¥21.91
2
ST(意法半导体)
TO-247
¥24.5785
7134
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥22.56
31
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥22.67
4
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,20A
onsemi(安森美)
TO-220
¥13.6418
0
电压 - 集射极击穿(最大值):390 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):46 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A,功率 - 最大值:250 W,输入类型:逻辑
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
¥23.4303
13121
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):141 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):99 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,33A,功率 - 最大值:543 W
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥23.7028
0
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A,功率 - 最大值:305 W
Littelfuse(美国力特)
TO-247
¥23.4624
13
电压 - 集射极击穿(最大值):1600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.7 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7.2V @ 15V,3A,功率 - 最大值:68 W,输入类型:标准
Infineon(英飞凌)
TO-263
¥24.2528
10
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,输入类型:标准,安装类型:表面贴装型
ST(意法半导体)
TO-247
¥24.35
22
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A,功率 - 最大值:200 W
ST(意法半导体)
TO-247
¥25.1856
1
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3-1
¥25.2448
19
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,75A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥25.72
41
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):85 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.35V @ 15V,30A,功率 - 最大值:227 W
Infineon(英飞凌)
TO-247-4
¥24
1532
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥16.8167
9549
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):82 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,40A
ST(意法半导体)
TO-247
¥26.53
2
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,80A
停产
ST(意法半导体)
TO-220
¥27.15
4
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A
ST(意法半导体)
TO-247
¥19.3229
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,60A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥27.6488
10
ST(意法半导体)
TO-247
¥26.2196
11
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
ST(意法半导体)
TO-247
¥28.0784
20
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,25A
ROHM(罗姆)
TO-247N
¥32.3598
903
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):45 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥29.3606
7
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,30A
最后售卖
onsemi(安森美)
TO-247-3
¥42.7333
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A,功率 - 最大值:480 W
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
¥34.36
0
IGBT类型:FS(场截止),集射极击穿电压(Vces):600V,集电极电流(Ic):90A,耗散功率(Pd):333W
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥36.0267
0
Infineon(英飞凌)
TO-247-3-AI
¥40.248
10