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商品目录
三极管/MOS管/晶体管
IGBT管/模块
IHW50N65R6XKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥15.5
库存量:
25
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,50A,功率 - 最大值:251 W
RGTH60TS65DGC13
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
TO-247GE
手册:
市场价:
¥20.1327
库存量:
600
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):58 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
IGW20N60H3
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥17.91
库存量:
14
热度:
供应商报价
2
描述:
STGW20NC60VD
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥18.03
库存量:
18
热度:
供应商报价
4
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A,功率 - 最大值:200 W
STGWT30H60DFB
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-3P
手册:
市场价:
¥18.2426
库存量:
2
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
AFGHL75T65SQ
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3L
手册:
市场价:
¥19.152
库存量:
53
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
IHW50N65R5XKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥18.424
库存量:
60
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,50A,功率 - 最大值:282 W
停产
STGW40V60F
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-3PF
手册:
市场价:
¥18.75
库存量:
140
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
IKW20N60H3
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥18.8133
库存量:
4
热度:
供应商报价
2
描述:
STGWA40M120DF3
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥18.98
库存量:
2
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
RJH60F7DPQ-A0#T0
厂牌:
RENESAS(瑞萨)
封装:
TO-247A
手册:
市场价:
¥18.67
库存量:
108
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):90 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,50A,功率 - 最大值:328.9 W
IGW15N120H3
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥19.58
库存量:
6
热度:
供应商报价
2
描述:
RGS80TS65DHRC11
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
TO-247N
手册:
市场价:
¥20.43
库存量:
20
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):73 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
STGWA15H120DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥19.694
库存量:
2
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,15A
STGWT60H65DFB
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-3P
手册:
市场价:
¥19.78
库存量:
4157
热度:
供应商报价
7
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A
IXGA30N120B3
厂牌:
Littelfuse(美国力特)
封装:
TO-263AA
手册:
市场价:
¥19.98
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:PT,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.5V @ 15V,30A
IXGP36N60A3
厂牌:
Littelfuse(美国力特)
封装:
TO-220-3
手册:
市场价:
¥20.83
库存量:
1
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:PT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A,功率 - 最大值:220 W
RGT80TS65DGC13
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥22.72
库存量:
3675
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
FGHL50T65MQDT
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3L
手册:
市场价:
¥21.04
库存量:
393
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,40A
IKWH70N65WR6
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥21.4
库存量:
122
热度:
供应商报价
1
描述:
FGHL75T65MQD
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥21.2
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,75A
AFGHL50T65SQD
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3L
手册:
市场价:
¥19.434
库存量:
35
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
NCE40TD120VTP
厂牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
TO-247P
手册:
市场价:
¥18.1
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
IKD15N60RF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-252
手册:
市场价:
¥21.91
库存量:
2
热度:
供应商报价
2
描述:
STGWA50M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥24.5785
库存量:
7134
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
IGW50N65H5
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥22.56
库存量:
31
热度:
供应商报价
3
描述:
IKW20N60TFKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥22.67
库存量:
4
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,20A
ISL9V5036P3-F085
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥13.6418
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):390 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):46 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 4V,10A,功率 - 最大值:250 W,输入类型:逻辑
AUIRG4PH50S
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247AC
手册:
市场价:
¥23.4303
库存量:
13121
热度:
供应商报价
5
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):141 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):99 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,33A,功率 - 最大值:543 W
IKW50N65H5FKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥23.7028
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A,功率 - 最大值:305 W
IXBH5N160G
厂牌:
Littelfuse(美国力特)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥23.4624
库存量:
13
热度:
供应商报价
1
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):1600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5.7 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):7.2V @ 15V,3A,功率 - 最大值:68 W,输入类型:标准
AIGB40N65H5ATMA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-263
手册:
市场价:
¥24.2528
库存量:
10
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,输入类型:标准,安装类型:表面贴装型
STGW20NC60V
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥24.35
库存量:
22
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A,功率 - 最大值:200 W
STGW40H120DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥25.1856
库存量:
1
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A
IKW75N60TFKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3-1
手册:
市场价:
¥25.2448
库存量:
19
热度:
供应商报价
5
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,75A
IKW30N65EL5XKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥25.72
库存量:
41
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):85 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.35V @ 15V,30A,功率 - 最大值:227 W
IKZ75N65EH5
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-4
手册:
市场价:
¥24
库存量:
1532
热度:
供应商报价
3
描述:
IKW40N120CH7XKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥16.8167
库存量:
9549
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):82 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,40A
STGW80V60DF
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥26.53
库存量:
2
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,80A
停产
STGP30V60DF
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥27.15
库存量:
4
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A
STGW60H65FB
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥19.3229
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,60A
IGW40N120H3
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥27.6488
库存量:
10
热度:
供应商报价
3
描述:
STGW40M120DF3
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥26.2196
库存量:
11
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
STGW25M120DF3
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥28.0784
库存量:
20
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,25A
RGS30TSX2DHRC11
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
TO-247N
手册:
市场价:
¥32.3598
库存量:
903
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):45 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A
IKW30N60TFKSA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥29.3606
库存量:
7
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,30A
最后售卖
FGH30N60LSDTU
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥42.7333
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.4V @ 15V,30A,功率 - 最大值:480 W
IGP50N60T
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220-3
手册:
市场价:
¥34.36
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT类型:FS(场截止),集射极击穿电压(Vces):600V,集电极电流(Ic):90A,耗散功率(Pd):333W
IGW60T120
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥36.0267
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
IKFW60N60DH3E
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3-AI
手册:
市场价:
¥40.248
库存量:
10
热度:
供应商报价
2
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