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STGB20H65DFB2
ST(意法半导体)
D2PAK-3
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，20A
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封装
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价格(含税)
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STGB20H65DFB2
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ST(意法半导体)
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D2PAK-3
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1000+:￥6.8856 |
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立即发货
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立创商城
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STGB20H65DFB2
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意法半导体(ST)
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D2PAK-3
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1000+:￥24.9733 500+:￥28.7193 100+:￥31.2166 30+:￥34.9626 10+:￥42.4546 1+:￥49.9466 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 40 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 60 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，20A |
| 功率 - 最大值 | 147 W |
| 开关能量 | 265µJ（开），214µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 56 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 16ns/78.8ns |
| 测试条件 | 400V，20A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 215 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-4，D²Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA |