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商品目录
三极管/MOS管/晶体管
IGBT管/模块
IGW75N60T
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥38.6189
库存量:
2
热度:
供应商报价
3
描述:
最后售卖
FGA30S120P
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-3PN
手册:
市场价:
¥39.3
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1300 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A
停产
IRGP4063DPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥33.2353
库存量:
4949
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):96 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):144 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.14V @ 15V,48A
STGW60H65DFB-4
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-4
手册:
市场价:
¥47.56
库存量:
1
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A
停产
AUIRGP4062D-E
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247AD
手册:
市场价:
¥52.2948
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):48 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):72 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,24A,功率 - 最大值:250 W
SGM50HF12A1TFD
厂牌:
SILAN(士兰微)
封装:
-
手册:
市场价:
¥80.5
库存量:
10
热度:
供应商报价
2
描述:
IXXH60N65B4H1
厂牌:
Littelfuse(美国力特)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥46.01
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:PT,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):116 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):230 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A
FP10R12W1T4
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
插件,62.8x33.8mm
手册:
市场价:
¥113.43
库存量:
19
热度:
供应商报价
3
描述:
FP25R12W2T4
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
插件,62.8x56.7mm
手册:
市场价:
¥201.79
库存量:
97
热度:
供应商报价
6
描述:
STGE200NB60S
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
SOTOP-4
手册:
市场价:
¥235.89
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
配置:单路,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 A,功率 - 最大值:600 W,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,100A
SGM150HF12A3TFD
厂牌:
SILAN(士兰微)
封装:
-
手册:
市场价:
¥262.84
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
FP40R12KT3
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
插件,107.5x45mm
手册:
市场价:
¥347.15
库存量:
13
热度:
供应商报价
2
描述:
集射极击穿电压(Vces):1.2kV,集电极电流(Ic):40A,耗散功率(Pd):210W,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.8V@40A,15V
MG300HF12MRC2
厂牌:
YANGJIE(扬杰)
封装:
-
手册:
市场价:
¥287.245
库存量:
2
热度:
供应商报价
1
描述:
IXBK64N250
厂牌:
Littelfuse(美国力特)
封装:
TO-264
手册:
市场价:
¥592.25
库存量:
8
热度:
供应商报价
1
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):2500 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3V @ 15V,64A,功率 - 最大值:735 W,输入类型:标准
FF300R12ME4
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
螺栓安装
手册:
市场价:
¥560
库存量:
20
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT类型:FS(场截止),集射极击穿电压(Vces):1.2kV,集电极电流(Ic):450A,耗散功率(Pd):1.6kW
NCE07TD60BF
厂牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
TO-220F
手册:
市场价:
¥1.4448
库存量:
194
热度:
供应商报价
3
描述:
SGTP5T60SD1DTR
厂牌:
SILAN(士兰微)
封装:
TO-252-2L
手册:
市场价:
¥1.75
库存量:
95
热度:
供应商报价
2
描述:
NCE07TD60BD
厂牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
TO-263
手册:
市场价:
¥1.336
库存量:
522
热度:
供应商报价
1
描述:
IKD03N60RFATMA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-252-3
手册:
市场价:
¥4.4
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6.5 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,2.5A
IKN06N60RC2ATMA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
SOT-223-3
手册:
市场价:
¥3.12
库存量:
490
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,6A,功率 - 最大值:7.2 W
STGP3HF60HD
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥3.2752
库存量:
9
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7.5 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.95V @ 15V,1.5A,功率 - 最大值:38 W
IGP06N60T
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220-3
手册:
市场价:
¥3.477
库存量:
368
热度:
供应商报价
3
描述:
AOTF15B65M1
厂牌:
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥3.34
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):45 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,15A,功率 - 最大值:36 W
NCE15TD60B
厂牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥3.43
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
AOB10B65M1
厂牌:
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
封装:
TO-263
手册:
市场价:
¥3.765
库存量:
616
热度:
供应商报价
1
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A,功率 - 最大值:150 W
STGP4M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥3.6476
库存量:
49
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):16 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A
IKA15N65ET6
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220FP
手册:
市场价:
¥3.7843
库存量:
52
热度:
供应商报价
2
描述:
SGT15T60QD1F
厂牌:
SILAN(士兰微)
封装:
TO-220F-3
手册:
市场价:
¥4.05
库存量:
200
热度:
供应商报价
3
描述:
STGD6NC60HDT4
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
DPAK
手册:
市场价:
¥4.1229
库存量:
10496
热度:
供应商报价
6
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):21 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,3A,功率 - 最大值:56 W
STGP8NC60KD
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥4.6272
库存量:
4
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,3A,功率 - 最大值:65 W
停产
IRGR3B60KD2TRP
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
DPAK
手册:
市场价:
¥4.8834
库存量:
369
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7.8 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):15.6 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,3A
不适用于新设计
IKD06N65ET6ARMA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-252-3
手册:
市场价:
¥4.9
库存量:
41
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,3A
NCE30TH60BP
厂牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
TO-3P-3
手册:
市场价:
¥4.97
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
IGB10N60TATMA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-263-3
手册:
市场价:
¥5.1942
库存量:
13
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:NPT,沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,10A
IKA06N60T
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220FP
手册:
市场价:
¥4.619
库存量:
436
热度:
供应商报价
2
描述:
DGTD65T15H2TF
厂牌:
DIODES(美台)
封装:
ITO-220AB-3
手册:
市场价:
¥5.474
库存量:
99
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
IKD10N60RFATMA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-252-3
手册:
市场价:
¥5.586
库存量:
177
热度:
供应商报价
5
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,10A
STGD10HF60KD
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
DPAK
手册:
市场价:
¥5.6018
库存量:
2
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):18 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,5A,功率 - 最大值:62.5 W
GT40QR21(STA1,E,D
厂牌:
TOSHIBA(东芝)
封装:
TO-3P-3
手册:
市场价:
¥12.78
库存量:
152
热度:
供应商报价
4
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,40A,功率 - 最大值:230 W
IKA10N65ET6
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220-3
手册:
市场价:
¥5.7977
库存量:
2081
热度:
供应商报价
3
描述:
IGU04N60T
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-251-3
手册:
市场价:
¥5.92
库存量:
1
热度:
供应商报价
2
描述:
STGD25N40LZAG
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
DPAK(TO-252)
手册:
市场价:
¥8.46
库存量:
38
热度:
供应商报价
1
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):435 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A,功率 - 最大值:125 W
IKP15N60T
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220-3
手册:
市场价:
¥5.88
库存量:
1636
热度:
供应商报价
3
描述:
STGB10M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
D2PAK
手册:
市场价:
¥6.3429
库存量:
6000
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A
IKP08N65F5
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220-3
手册:
市场价:
¥5.87
库存量:
399
热度:
供应商报价
2
描述:
STGF10NB60SD
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220FP
手册:
市场价:
¥6.8502
库存量:
2
热度:
供应商报价
5
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,10A,功率 - 最大值:25 W
STGP15H60DF
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220-3
手册:
市场价:
¥6.7381
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
IKA08N65ET6
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220F
手册:
市场价:
¥7.0267
库存量:
9
热度:
供应商报价
2
描述:
IKA08N65F5
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220FP-3
手册:
市场价:
¥7.03
库存量:
480
热度:
供应商报价
2
描述:
FGI3040G2-F085
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-262AA-3
手册:
市场价:
¥9.01
库存量:
50
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):400 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):41 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A,功率 - 最大值:150 W,输入类型:逻辑
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