Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥38.6189
2
最后售卖
onsemi(安森美)
TO-3PN
¥39.3
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1300 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,30A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥33.2353
4949
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):96 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):144 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.14V @ 15V,48A
ST(意法半导体)
TO-247-4
¥47.56
1
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247AD
¥52.2948
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):48 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):72 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,24A,功率 - 最大值:250 W
SILAN(士兰微)
-
¥80.5
10
Littelfuse(美国力特)
TO-247-3
¥46.01
0
IGBT 类型:PT,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):116 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):230 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,60A
Infineon(英飞凌)
插件,62.8x33.8mm
¥113.43
19
Infineon(英飞凌)
插件,62.8x56.7mm
¥201.79
97
ST(意法半导体)
SOTOP-4
¥235.89
0
配置:单路,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 A,功率 - 最大值:600 W,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,100A
SILAN(士兰微)
-
¥262.84
0
Infineon(英飞凌)
插件,107.5x45mm
¥347.15
13
集射极击穿电压(Vces):1.2kV,集电极电流(Ic):40A,耗散功率(Pd):210W,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.8V@40A,15V
YANGJIE(扬杰)
-
¥287.245
2
Littelfuse(美国力特)
TO-264
¥592.25
8
电压 - 集射极击穿(最大值):2500 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3V @ 15V,64A,功率 - 最大值:735 W,输入类型:标准
Infineon(英飞凌)
螺栓安装
¥560
20
IGBT类型:FS(场截止),集射极击穿电压(Vces):1.2kV,集电极电流(Ic):450A,耗散功率(Pd):1.6kW
NCE(无锡新洁能)
TO-220F
¥1.4448
194
SILAN(士兰微)
TO-252-2L
¥1.75
95
NCE(无锡新洁能)
TO-263
¥1.336
522
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
¥4.4
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6.5 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):7.5 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,2.5A
Infineon(英飞凌)
SOT-223-3
¥3.12
490
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,6A,功率 - 最大值:7.2 W
ST(意法半导体)
TO-220
¥3.2752
9
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7.5 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.95V @ 15V,1.5A,功率 - 最大值:38 W
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
¥3.477
368
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-220
¥3.34
0
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):45 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,15A,功率 - 最大值:36 W
NCE(无锡新洁能)
TO-220
¥3.43
0
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-263
¥3.765
616
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A,功率 - 最大值:150 W
ST(意法半导体)
TO-220
¥3.6476
49
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):16 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A
Infineon(英飞凌)
TO-220FP
¥3.7843
52
SILAN(士兰微)
TO-220F-3
¥4.05
200
ST(意法半导体)
DPAK
¥4.1229
10496
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):21 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,3A,功率 - 最大值:56 W
ST(意法半导体)
TO-220
¥4.6272
4
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,3A,功率 - 最大值:65 W
停产
Infineon(英飞凌)
DPAK
¥4.8834
369
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7.8 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):15.6 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,3A
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
¥4.9
41
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):9 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,3A
NCE(无锡新洁能)
TO-3P-3
¥4.97
0
Infineon(英飞凌)
TO-263-3
¥5.1942
13
IGBT 类型:NPT,沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,10A
Infineon(英飞凌)
TO-220FP
¥4.619
436
DIODES(美台)
ITO-220AB-3
¥5.474
99
IGBT 类型:场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
¥5.586
177
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,10A
ST(意法半导体)
DPAK
¥5.6018
2
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):18 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,5A,功率 - 最大值:62.5 W
TOSHIBA(东芝)
TO-3P-3
¥12.78
152
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,40A,功率 - 最大值:230 W
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
¥5.7977
2081
Infineon(英飞凌)
TO-251-3
¥5.92
1
ST(意法半导体)
DPAK(TO-252)
¥8.46
38
电压 - 集射极击穿(最大值):435 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):50 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A,功率 - 最大值:125 W
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
¥5.88
1636
ST(意法半导体)
D2PAK
¥6.3429
6000
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A
Infineon(英飞凌)
TO-220-3
¥5.87
399
ST(意法半导体)
TO-220FP
¥6.8502
2
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):23 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,10A,功率 - 最大值:25 W
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥6.7381
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
Infineon(英飞凌)
TO-220F
¥7.0267
9
Infineon(英飞凌)
TO-220FP-3
¥7.03
480
onsemi(安森美)
TO-262AA-3
¥9.01
50
电压 - 集射极击穿(最大值):400 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):41 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.25V @ 4V,6A,功率 - 最大值:150 W,输入类型:逻辑