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商品目录
三极管/MOS管/晶体管
IGBT管/模块
F3L100R07W2E3_B11
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
手册:
市场价:
¥171.2
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
FF600R17ME4
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
手册:
市场价:
¥727.6
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
STGW75H65DFB2-4
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-4
手册:
市场价:
¥13.3034
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT类型:FS(场截止),集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):115A,耗散功率(Pd):357W
FS100R12KT4G
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
手册:
市场价:
¥741
库存量:
20
热度:
供应商报价
3
描述:
NCE30TD60BT
厂牌:
NCE(无锡新洁能)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥6.44
库存量:
1000
热度:
供应商报价
4
描述:
FGH40T65SHDF-F155
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥12.33
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.81V @ 15V,40A
FGHL75T65MQDT
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3LD
手册:
市场价:
¥23.19
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,75A
FGY60T120SQDN
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥38.16
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,60A,功率 - 最大值:517 W
停产
HGTG30N60A4
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥58.23
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,30A,功率 - 最大值:463 W
停产
NGTB15N60S1EG
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥10.05
库存量:
0
热度:
供应商报价
描述:
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,15A
NXH25C120L2C2SG
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
DIP-26
手册:
市场价:
¥275.643
库存量:
12
热度:
供应商报价
3
描述:
配置:三相反相器,带制动器,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,功率 - 最大值:20 mW,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A
最后售卖
FGH60N60UFDTU
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥21.63
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):180 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,60A
AIGB30N65F5ATMA1
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-263
手册:
市场价:
¥19.6
库存量:
20
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,输入类型:标准,安装类型:表面贴装型
停产
IRGB4630DPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220AB-3
手册:
市场价:
¥12.447
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):47 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):54 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,18A,功率 - 最大值:206 W
停产
IRGS10B60KDTRRP
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
手册:
市场价:
¥9.3059
库存量:
8800
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):22 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):44 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,10A
停产
IRGP4650D-EPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥24.2142
库存量:
8849
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):76 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):105 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,35A,功率 - 最大值:268 W
停产
IRGP4068DPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥26.5882
库存量:
357
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):96 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):144 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.14V @ 15V,48A
停产
IRGP4066D-EPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247AD
手册:
市场价:
¥398.823
库存量:
657
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):140 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
停产
IRG4PC50UPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247AC-3
手册:
市场价:
¥132.941
库存量:
11
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):55 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):220 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,27A,功率 - 最大值:200 W
停产
IRG4BC20WPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220AB
手册:
市场价:
¥7.1937
库存量:
25
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):13 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):52 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,6.5A,功率 - 最大值:60 W
停产
IRG4BC20UDPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220AB-3
手册:
市场价:
¥6.4337
库存量:
1
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):13 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):52 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,6.5A,功率 - 最大值:60 W
IXYX25N250CV1HV
厂牌:
Littelfuse(美国力特)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥493.35
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):2500 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):95 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):235 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):4V @ 15V,25A,功率 - 最大值:937 W
IXYN100N120C3H1
厂牌:
Littelfuse(美国力特)
封装:
SOT-227B
手册:
市场价:
¥426.85
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
配置:单路,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):134 A,功率 - 最大值:690 W,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.5V @ 15V,100A
STGW30M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥25.48
库存量:
2
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
STGW40NC60KD
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥14.44
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):220 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,30A,功率 - 最大值:250 W
STGWA30M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥13.0282
库存量:
3016
热度:
供应商报价
5
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
STGF19NC60KD
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220F-3
手册:
市场价:
¥3.921
库存量:
500
热度:
供应商报价
5
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):16 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,12A,功率 - 最大值:32 W
STGP20NC60V
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥12.469
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A,功率 - 最大值:200 W
FF150R12KT3G
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
-
手册:
市场价:
¥391
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IHFW40N65R5S
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥31.0772
库存量:
20
热度:
供应商报价
2
描述:
集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):61A,耗散功率(Pd):108W,正向压降(Vf):2.4V@40A
STGY40NC60VD
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥24.72
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,40A,功率 - 最大值:260 W,开关能量:330µJ(开),720µJ(关)
FGHL50T65MQD
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-247-3L
手册:
市场价:
¥9.2659
库存量:
15
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A
IXGH48N60A3D1
厂牌:
Littelfuse(美国力特)
封装:
TO-247AD-3
手册:
市场价:
¥33.9
库存量:
295
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:PT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.35V @ 15V,32A,功率 - 最大值:300 W
RGT50TS65DGC13
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
TO-247G
手册:
市场价:
¥20.9759
库存量:
51
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):48 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A
RGT40TS65DGC13
厂牌:
ROHM(罗姆)
封装:
TO-247G
手册:
市场价:
¥19.8835
库存量:
58
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,20A
STGWA40H120DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥11.69
库存量:
2731
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A
STGP19NC60SD
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥3.22
库存量:
0
热度:
供应商报价
4
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,12A,功率 - 最大值:130 W
MG400HF12MIC2
厂牌:
YANGJIE(扬杰)
封装:
螺栓安装
手册:
市场价:
¥400.015
库存量:
2
热度:
供应商报价
1
描述:
STGP10M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥5.09
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A
AOK20B135D1
厂牌:
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥1.16
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):1350 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,20A,功率 - 最大值:340 W
停产
AOK40B120M1
厂牌:
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥2.33
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,40A,功率 - 最大值:600 W
停产
IRGB4056DPBF
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220AB-3
手册:
市场价:
¥34.9467
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):24 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):48 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,12A
STGP6NC60HD
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-220
手册:
市场价:
¥4.386
库存量:
0
热度:
供应商报价
4
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):21 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,3A,功率 - 最大值:56 W
STGWT40H65DFB
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247
手册:
市场价:
¥14.8255
库存量:
0
热度:
供应商报价
3
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
IHW20N120R3
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥14.2
库存量:
500
热度:
供应商报价
3
描述:
停产
STGB30H60DLFB
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
D2PAK
手册:
市场价:
¥24.19
库存量:
0
热度:
供应商报价
2
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
STGB15M65DF2
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
D2PAK
手册:
市场价:
¥6.8285
库存量:
62
热度:
供应商报价
5
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
STGYA120M65DF2AG
厂牌:
ST(意法半导体)
封装:
TO-247-3
手册:
市场价:
¥37.113
库存量:
0
热度:
供应商报价
4
描述:
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):360 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,120A
停产
FGL60N100BNTD
厂牌:
onsemi(安森美)
封装:
TO-264-3
手册:
市场价:
¥11.47
库存量:
0
热度:
供应商报价
1
描述:
IGBT 类型:NPT 和沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):1000 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A
AUIRG4BC30SSTRL
厂牌:
Infineon(英飞凌)
封装:
D2PAK
手册:
市场价:
¥26.6166
库存量:
15
热度:
供应商报价
3
描述:
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):34 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):68 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,18A,功率 - 最大值:100 W
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