Infineon(英飞凌)
-
¥171.2
0
Infineon(英飞凌)
-
¥727.6
0
ST(意法半导体)
TO-247-4
¥13.3034
0
IGBT类型:FS(场截止),集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):115A,耗散功率(Pd):357W
Infineon(英飞凌)
-
¥741
20
NCE(无锡新洁能)
TO-247-3
¥6.44
1000
onsemi(安森美)
TO-247-3
¥12.33
0
IGBT 类型:场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.81V @ 15V,40A
onsemi(安森美)
TO-247-3LD
¥23.19
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,75A
onsemi(安森美)
TO-247-3
¥38.16
0
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,60A,功率 - 最大值:517 W
停产
onsemi(安森美)
TO-247-3
¥58.23
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,30A,功率 - 最大值:463 W
停产
onsemi(安森美)
TO-220
¥10.05
0
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,15A
onsemi(安森美)
DIP-26
¥275.643
12
配置:三相反相器,带制动器,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A,功率 - 最大值:20 mW,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,25A
最后售卖
onsemi(安森美)
TO-247-3
¥21.63
0
IGBT 类型:场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):180 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,60A
Infineon(英飞凌)
TO-263
¥19.6
20
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,输入类型:标准,安装类型:表面贴装型
停产
Infineon(英飞凌)
TO-220AB-3
¥12.447
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):47 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):54 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,18A,功率 - 最大值:206 W
停产
Infineon(英飞凌)
-
¥9.3059
8800
IGBT 类型:NPT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):22 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):44 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,10A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥24.2142
8849
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):76 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):105 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,35A,功率 - 最大值:268 W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥26.5882
357
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):96 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):144 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.14V @ 15V,48A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247AD
¥398.823
657
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):140 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):225 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
停产
Infineon(英飞凌)
TO-247AC-3
¥132.941
11
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):55 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):220 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,27A,功率 - 最大值:200 W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-220AB
¥7.1937
25
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):13 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):52 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,6.5A,功率 - 最大值:60 W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-220AB-3
¥6.4337
1
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):13 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):52 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,6.5A,功率 - 最大值:60 W
Littelfuse(美国力特)
TO-247-3
¥493.35
0
电压 - 集射极击穿(最大值):2500 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):95 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):235 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):4V @ 15V,25A,功率 - 最大值:937 W
Littelfuse(美国力特)
SOT-227B
¥426.85
0
配置:单路,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):134 A,功率 - 最大值:690 W,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.5V @ 15V,100A
ST(意法半导体)
TO-247
¥25.48
2
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
ST(意法半导体)
TO-247-3
¥14.44
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):70 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):220 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,30A,功率 - 最大值:250 W
ST(意法半导体)
TO-247-3
¥13.0282
3016
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
ST(意法半导体)
TO-220F-3
¥3.921
500
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):16 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,12A,功率 - 最大值:32 W
ST(意法半导体)
TO-220
¥12.469
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A,功率 - 最大值:200 W
Infineon(英飞凌)
-
¥391
0
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥31.0772
20
集射极击穿电压(Vces):650V,集电极电流(Ic):61A,耗散功率(Pd):108W,正向压降(Vf):2.4V@40A
ST(意法半导体)
TO-247-3
¥24.72
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,40A,功率 - 最大值:260 W,开关能量:330µJ(开),720µJ(关)
onsemi(安森美)
TO-247-3L
¥9.2659
15
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,50A
Littelfuse(美国力特)
TO-247AD-3
¥33.9
295
IGBT 类型:PT,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.35V @ 15V,32A,功率 - 最大值:300 W
ROHM(罗姆)
TO-247G
¥20.9759
51
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):48 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,25A
ROHM(罗姆)
TO-247G
¥19.8835
58
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,20A
ST(意法半导体)
TO-247
¥11.69
2731
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,40A
ST(意法半导体)
TO-220
¥3.22
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,12A,功率 - 最大值:130 W
YANGJIE(扬杰)
螺栓安装
¥400.015
2
ST(意法半导体)
TO-220
¥5.09
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,10A
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-247
¥1.16
0
电压 - 集射极击穿(最大值):1350 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,20A,功率 - 最大值:340 W
停产
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-247
¥2.33
0
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,40A,功率 - 最大值:600 W
停产
Infineon(英飞凌)
TO-220AB-3
¥34.9467
0
IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):24 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):48 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,12A
ST(意法半导体)
TO-220
¥4.386
0
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):21 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,3A,功率 - 最大值:56 W
ST(意法半导体)
TO-247
¥14.8255
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥14.2
500
停产
ST(意法半导体)
D2PAK
¥24.19
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
ST(意法半导体)
D2PAK
¥6.8285
62
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
ST(意法半导体)
TO-247-3
¥37.113
0
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):160 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):360 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,120A
停产
onsemi(安森美)
TO-264-3
¥11.47
0
IGBT 类型:NPT 和沟道,电压 - 集射极击穿(最大值):1000 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.9V @ 15V,60A
Infineon(英飞凌)
D2PAK
¥26.6166
15
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):34 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):68 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,18A,功率 - 最大值:100 W