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不适用于新设计
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：25 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，5A
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：30A，功率(Pd)：254W，栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)：1.7V@15V,15A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
电压 - 集射极击穿（最大值）：450 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：23 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.25V @ 4V，6A，功率 - 最大值：150 W，输入类型：逻辑
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，20A
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：40A，耗散功率(Pd)：417W，正向压降(Vf)：2.6V
停产
IGBT 类型：场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，20A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1350 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，20A，功率 - 最大值：288 W
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：150 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，50A
停产
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，20A，功率 - 最大值：160 W
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A
不适用于新设计
IGBT 类型：NPT，沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：16 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：24 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，8A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：72 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A
不适用于新设计
IGBT 类型：沟道，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：100 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，25A
IGBT 类型：场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，20A
IGBT 类型：场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.65V @ 15V，20A
电压 - 集射极击穿（最大值）：480 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：51 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 4V，10A，功率 - 最大值：300 W，输入类型：逻辑
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：100A，正向压降(Vf)：2V@50A，集射极饱和电压(VCE(sat))：2.2V@50A,15V
电压 - 集射极击穿（最大值）：442 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 4.5V，20A，功率 - 最大值：200 W
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：120 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，40A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：240 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，60A
IGBT 类型：NPT，电压 - 集射极击穿（最大值）：1700 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：14 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：7V @ 15V，3A
IGBT 类型：场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：100 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，25A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，20A，功率 - 最大值：220 W，开关能量：1.66mJ（开），4.44mJ（关）
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A，功率 - 最大值：375 W
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A
集射极击穿电压(Vces)：650V，集电极电流(Ic)：86A，耗散功率(Pd)：272W，正向压降(Vf)：2.45V@50A
停产
IGBT 类型：沟道，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：96 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：144 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.14V @ 15V，48A
停产
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.35V @ 15V，75A
IGBT 类型：PT，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：110 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，24A
IGBT 类型：PT，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，60A
最后售卖
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：200 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，50A
停产
IGBT 类型：场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：180 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，60A